11月1日，南大光電半導體材料有限公司年產(chǎn)68噸半導體先進制程用硅前驅(qū)體材料項目受理公示。

為著力加快金屬前驅(qū)體、硅前驅(qū)體新產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進程，推動關鍵原材料自主可控，南大光電半導體材料有限公司投資12000萬元，于滁州市全椒縣十譚產(chǎn)業(yè)園化工集中區(qū)南大光電半導體材料有限公司內(nèi)投建68噸半導體先進制程用硅前驅(qū)體材料。

項目建設規(guī)模：一期：建設雙（二乙基胺基）硅烷（BDEAS）和雙（叔丁基胺基）硅烷（BTBAS）產(chǎn)線（共線），年產(chǎn)能為7.5噸，其中BDEAS年產(chǎn)能為6噸，BTBAS年產(chǎn)能為1.5噸；二異丙胺硅烷（DIPAS）產(chǎn)線，年產(chǎn)能為30噸；二氯二氧化鉬（MoO2Cl2）產(chǎn)線，年產(chǎn)能為1噸；辛烷（C8H18）產(chǎn)線，年產(chǎn)能為1噸。鋼瓶中心一樓新建鋼瓶安全處理間，建設面積約85平方米；鋼瓶中心三樓新建鋼瓶測試線，建設面積約55平方米；分析中心一樓新建超凈間作為分析室，建設面積約75平方米；A5車間一樓新建產(chǎn)品包裝間，建設面積約125平方米；硫酸二甲酯儲罐轉(zhuǎn)移至罐區(qū)東側(cè)位置。

二期：建設雙（二乙基胺基）硅烷（BDEAS）和雙（叔丁基胺基）硅烷（BTBAS）產(chǎn)線（共線），年產(chǎn)能為22.5噸；五氯化鎢（WCl5）產(chǎn)線，年產(chǎn)能為1噸；六氯化鎢（WCl6）產(chǎn)線，年產(chǎn)能為1噸；氯化鎵（GaCl3）產(chǎn)線，年產(chǎn)能為1噸；氯化錫（SnCl4）產(chǎn)線，年產(chǎn)能為1噸；碘化鈦（TiI4）產(chǎn)線，年產(chǎn)能為1噸；碘化硅（SiI4）產(chǎn)線，年產(chǎn)能為1噸、辛烷（C8H18）產(chǎn)線，年產(chǎn)能為1噸。兩期建成完成后可形成年產(chǎn)68噸半導體先進制程用硅前驅(qū)體材料的生產(chǎn)能力。

來源：全椒縣人民政府